品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":422,"23+":2860}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1335-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":53945}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K4P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: