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    ECCN
    连续漏极电流
    行业应用
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 2.5A
    当前匹配商品:800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.67W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3989EV-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.67W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@400mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1 起订2778个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1 起订2778个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":422,"23+":2860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3125L-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3125L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:254pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN100EPAX

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1335-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2069UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:214pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K4P7AKMA1 起订1020个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K4P7AKMA1 起订1020个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":53945}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R2K4P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP162A12A6PR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR 起订21000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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