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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@260mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP2520N8-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP2520N8-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP2520N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TP2520N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TP2520N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP2520N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKHH 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKHH 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:97pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@260mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:97pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@260mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订17个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订17个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKHH 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKHH 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS87H6327FTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.8V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:97pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@260mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订13个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订13个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@260mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KT-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订9000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订9000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@260mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS138 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@260mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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