品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4525pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH30N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:695W
阈值电压:5.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2460pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":119}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":586}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH099N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":24,"18+":332}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:3.5V@960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2127pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":181}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:4.5V@960µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@11.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH30N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:695W
阈值电压:5.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2460pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":4800}
规格型号(MPN):NTD30N02G
输入电容:1000pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:24V
包装方式:管件
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
导通电阻:100mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1851pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":190}
规格型号(MPN):IPA60R125C6XKSA1
阈值电压:3.5V@960µA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:2127pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
导通电阻:125mΩ@14.5A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: