采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1180pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：16.6nC@10V
功率：66W
导通电阻：34mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G300GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK099V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ301N10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK099V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK099V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK099V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ301N10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：4V@1.27mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@300V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK099V65Z，LQ
导通电阻：99mΩ@15A，10V
输入电容：2780pF@300V
功率：230W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
栅极电荷：47nC@10V
阈值电压：4V@1.27mA
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK090U65Z，RQ
输入电容：2780pF@300V
功率：230W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
栅极电荷：47nC@10V
阈值电压：4V@1.27mA
导通电阻：90mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1180pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：16.6nC@10V
功率：66W
导通电阻：34mΩ@15A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
