品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:P沟道
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漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
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功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
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栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
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功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
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栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@15V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: