采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：311，"20+"：500，"22+"：400}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：370，"14+"：197，"9999"：169}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R190E6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@730µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4.5V@630µ
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：50，"21+"：200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：415}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@630µ
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：370，"14+"：197，"9999"：169}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R190E6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@730µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：415}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：311，"20+"：500，"22+"：400}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：204，"18+"：16，"21+"：2490，"9999"：55}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：17，"21+"：478，"22+"：500，"9999"：475，"MI+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@730µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：204，"18+"：16，"21+"：2490，"9999"：55}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：615，"21+"：560}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R190P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@630µ
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：716，"17+"：347，"22+"：500，"9999"：555，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R190E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@730µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1620pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
