品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2425N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2425N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2425N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2425N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:250V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:480mA
导通电阻:3.5Ω@500mA,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:240V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:9Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.89nC@4.5V
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:200pF@25V
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:240V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:9Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4424GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:9Ω@200mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: