采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2V@24µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2019pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.56mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC031N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2458pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17556Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€191W
阈值电压：1.65V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：1136，"22+"：3200，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3042}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK963R2-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10502pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17506Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
