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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127 起订196个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK754R7-60E,127 起订196个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":957,"15+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R8-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9710pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-60BS,118 起订288个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8079pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E4R6-60E,127 起订524个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E4R6-60E,127 起订524个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1400,"19+":12879,"9999":484}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E4R6-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订392个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订392个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y7R2-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5026pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订177个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订177个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2608}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:3.3V@41µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y6R0-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y6R0-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y6R0-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4021pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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