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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 2A
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    连续漏极电流:2A

    输入电容:330pF@50V

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3173
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3746
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3746

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2609}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3746

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€110W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:380pF@30V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJP020N06T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 2SK3065T100
    ROHM Mosfet场效应管 2SK3065T100

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3065T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1A,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订6000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订6000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05HZGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05HZGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020N05TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ020N03HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ020N03HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ020N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:134mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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