品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG312P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152.7pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV240SPR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:365mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH260UNEH
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@700mA,4,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV240SPR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:365mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: