品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":97,"19+":68,"21+":5,"22+":32,"9999":84}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP6410ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@76A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
漏源电压:30V
功率:51W
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:22nC@10V
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
漏源电压:30V
功率:51W
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:22nC@10V
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":130}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€107W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: