品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":345}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N65EF-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@7.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:298nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12560pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":960,"19+":1240,"9999":218,"MI+":240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R037P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1.48mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5243pF@400V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@29.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1.48mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5243pF@400V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@29.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R037P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1.48mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5243pF@400V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@29.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN102N65X2
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@51A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: