采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
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功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
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行业应用：工业,汽车
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功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：4058}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PTAG
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功率：710mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
输入电容：531pF@10V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
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输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
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功率：710mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：4058}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PTAG
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功率：710mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
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栅极电荷：6.2nC@4.5V
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输入电容：531pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
