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    品牌
    ECCN
    连续漏极电流
    16A
    类型
    行业应用
    漏源电压
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 16A
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:50+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订79个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订79个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":113598,"13+":950}

    包装规格(MPQ):65psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2

    功率:29.9W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:988pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

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    栅极电荷:53.5nC@10V

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    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

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    功率:89W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":113598,"13+":950}

    包装规格(MPQ):65psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2

    功率:29.9W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:988pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订724个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订724个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3L+":25000}

    包装规格(MPQ):601psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5

    功率:12.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.19nF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":113598,"13+":950}

    包装规格(MPQ):65psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2

    功率:29.9W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:988pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S4DPP-E0#T2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":113598,"13+":950}

    包装规格(MPQ):65psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2

    功率:29.9W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:988pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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