采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：9300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：9300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
