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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14.1A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@7.5V
类型：N沟道
输入电容：608pF@100V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：105mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@260µA
功率：98W
栅极电荷：24.8nC@10V
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14.1A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@7.5V
类型：N沟道
输入电容：608pF@100V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：105mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
