品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2782GR-E1-A
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@5V
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2782GR-E1-A
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@5V
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
输入电容:1300pF@15V
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
输入电容:1200pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
栅极电荷:24nC@10V
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E110BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4838
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDFQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: