采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：19093，"21+"：1250，"9999"：995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2220pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
导通电阻：8mΩ@13A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2220pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
导通电阻：8mΩ@13A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
栅极电荷：65nC@10V
功率：2.5W€5.6W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：18mΩ@10A，10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
输入电容：1960pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3845pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
