采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：342，"21+"：134821}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1457}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@5V
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2830}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.7V€3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC€47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2830}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.7V€3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC€47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7413ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
