品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:347W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2040pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":321,"23+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:181W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1145pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0080120D
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:散装
输入电容:950pF@1000V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3M
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1548,"22+":6215,"23+":321,"24+":2701}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF540Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:181W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1145pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5710,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF36N60NT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@40V
连续漏极电流:36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9685pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q
工作温度:150℃
功率:42W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: