品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22195}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPI08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":20,"08+":200,"10+":500,"17+":210}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1888,"10+":2177}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R500CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN50R800CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@1.5A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: