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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 21A
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€127W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K22-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3115pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K22-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3115pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1460}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:624
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K22-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3115pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1460}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€37W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K22-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3115pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K22-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K22-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3115pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K45-100E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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