品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":100,"22+":800}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPS3810PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:580W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:390nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6790pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":100,"22+":800}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":448}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3207TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3207TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3207TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3207TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPS3810PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:580W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:390nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6790pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":653,"20+":250,"9999":852}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2204SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@130A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":653,"20+":250,"9999":852}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2204SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@130A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: