品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.2W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):8-SOIC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW€47.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21313C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3899,"23+":4444}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7307,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203PHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.11W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21313C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: