品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":42,"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":828458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60L
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60L
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62760,"23+":11727}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC26N12NX1SA1
阈值电压:4V@244µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):1N65G
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD1N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD1N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN13H750S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:130V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN13H750S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:130V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€2.1W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79.3pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":120095,"16+":25900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1458-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):1N65G
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN13H750S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:130V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8001CND3FRATL
工作温度:150℃
功率:36W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.7Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60G
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):1N65G
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF250XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:342mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:254mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: