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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 6.9A
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90R800C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90R800C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":11126,"08+":26700,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:844
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":11126,"08+":26700,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":11126,"08+":26700,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R800C3FKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R800C3FKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9840,"9999":40}

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW90R800C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R800C3FKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R800C3FKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":9840,"9999":40}

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW90R800C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90R800C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP90R800C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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