品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8407,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8407,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8407,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
连续漏极电流:103A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V
导通电阻:5.9mΩ@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
生产批次:{"20+":8407,"MI+":450}
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
栅极电荷:203nC@20V
连续漏极电流:103A
阈值电压:4.3V@20mA
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类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:2890pF@800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:535W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2890pF@800V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V@140μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.47nF@40V
连续漏极电流:103A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:3.7mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3610STRLPBF
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@62A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3610STRLPBF
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@62A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT065P06D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:103A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":7,"21+":800,"22+":565}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3610STRLPBF
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@25V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@62A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: