品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":870}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":126150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKWX
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKWX
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138AKMYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138AKMYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LP
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4001NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: