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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 270mA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订27个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订27个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKQBZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKQBZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKQBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW€4.2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138AKMYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138AKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKQBZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKQBZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKQBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW€4.2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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