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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB55XNEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 SSF8309S 起订3000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSF8309S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:536pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB55XNEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:536pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:487pF@20V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1 起订2235个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3099LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2650T1E-E2-AT 起订674个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2650T1E-E2-AT 起订674个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":270000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2650T1E-E2-AT

    功率:1.1W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3099LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4930NTBG 起订943个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4930NTBG 起订943个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1896,"14+":22250,"18+":71990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4930NTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.05Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7119DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.05Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UFDB-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UFDB-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1008pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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