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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：126mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4322，"22+"：9425，"9999"：91}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4322，"22+"：9425，"9999"：91}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4322，"22+"：9425，"9999"：91}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：126mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL2705TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，3.8A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.8A
类型：MOSFET
导通电阻：126mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDB-7
阈值电压：900mV@250μA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：70mΩ@4.5V，2.8A
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
