品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4322,"22+":9425,"9999":91}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4322,"22+":9425,"9999":91}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4322,"22+":9425,"9999":91}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,3.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL2705TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,3.8A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R1K5PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
功率:900mW
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
功率:900mW
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDB-7
阈值电压:900mV@250μA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@4.5V,2.8A
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: