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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6954ADQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:53mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF03N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEAKMA2 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEAKMA2 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R1K5CEAKMA2

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD5904T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD5904T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":51598}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD5904T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:600mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEBKMA1 起订1145个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEBKMA1 起订1145个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":185500,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R1K5CEBKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2170U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN70XPX 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN70XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@20V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024NTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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