采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：759}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
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连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2319}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA3P029Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.9V
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.3A
类型：MOSFET
导通电阻：87mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：2319}
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：FDFMA3P029Z
功率：1.4W
漏源电压：30V
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.3A
导通电阻：87mΩ
阈值电压：1.9V
栅极电荷：7.2nC
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
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栅极电荷：6.8nC@10V
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类型：1个N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：759}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：759}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2319}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA3P029Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.9V
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.3A
类型：MOSFET
导通电阻：87mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
