采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP613PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：57mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：53879}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB75UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1167pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
