采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4784}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：223nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR6003PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7806pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：960mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70042E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：带
输入电容：6490pF@50V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900，"23+"：2800，"9999"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：349W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：223nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2003UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：177nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8352pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-25MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3167pF@12V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR6003PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC150N03A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.498nF@15V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PB，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5855pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
