采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：120，"16+"：254，"17+"：4873，"18+"：36886，"19+"：4945}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R299CPAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2586，"14+"：1694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4802NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：120，"16+"：254，"17+"：4873，"18+"：36886，"19+"：4945}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R299CPAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：120，"16+"：254，"17+"：4873，"18+"：36886，"19+"：4945}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R299CPAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
输入电容：900pF@50V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W€5.7W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：29.5nC@10V
导通电阻：23mΩ@15A，10V
连续漏极电流：11.1A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
输入电容：900pF@50V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W€5.7W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：29.5nC@10V
导通电阻：23mΩ@15A，10V
连续漏极电流：11.1A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
