品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":554,"19+":2500,"MI+":681}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9832-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1594pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@8A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: