采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500，"23+"：500，"9999"：463}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€660mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.039nF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
