采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R115CFD7AUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：22A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6246-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y43-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1373，"16+"：16000，"18+"：18463，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB22N03S4L15ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0120065D
工作温度：-40℃~175℃
功率：98W
阈值电压：3.6V@1.86mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：640pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：157mΩ@6.76A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13202Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@6V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：381，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5420，"19+"：13500，"MI+"：450}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA20N50-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：609，"22+"：831}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH22N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13202Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@6V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2310pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
