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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRLPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRLPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090J-TR 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090J-TR 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065090J-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:3.5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090J-TR 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090J-TR 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065090J-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:3.5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订696个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订696个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-V-TL-H 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-V-TL-H 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-V-TL-H

    工作温度:150℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:35A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K12-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRPBF 起订695个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRPBF 起订695个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7635-55A,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7635-55A,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1654,"19+":8700,"20+":7931,"MI+":945}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7635-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K12-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K12-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订126个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订126个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD35N12S3L24ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.4V@39µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS0D55N03CGT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18500pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD380P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD380P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7613DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2620pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR540ZTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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