品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":235914,"22+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":235914,"22+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@15V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
功率:500mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9335TRPbF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:386pF@25V
栅极电荷:14nC@10V
阈值电压:2.4V@10µA
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:59mΩ@5.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: