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    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 5A
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5205PND3FRATL

    功率:65W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:525V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA620TT-E1-A 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA620TT-E1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":8289}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA620TT-E1-A

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5205PND3FRATL

    功率:65W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:525V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6026DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6026DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":40100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6026DPP-E0#T2

    功率:28.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5205PND3FRATL

    功率:65W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:525V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5205PND3FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5205PND3FRATL

    功率:65W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:525V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G300N04L 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G300N04L

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N20TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N20TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:43W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:690mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5030DPD-03#J2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5030DPD-03#J2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5030DPD-03#J2

    功率:41.7W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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