采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2440}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA650TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.8V@250μA
导通电阻：65mΩ@10V，5A
连续漏极电流：5A
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：690pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.8V@250μA
导通电阻：65mΩ@10V，5A
连续漏极电流：5A
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：690pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.8V@250μA
导通电阻：65mΩ@10V，5A
连续漏极电流：5A
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：690pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2440}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA650TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
