采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-M-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3000，"18+"：11996}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6336-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2315ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3469DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5P40
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB43XPEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB29XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：25707}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3A18PZTXG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22206W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2275pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22206WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2275pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW5P06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
