品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":103,"06+":744,"07+":661,"08+":698,"09+":551,"12+":400,"13+":2902,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8030L
工作温度:-65℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@5V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N03MLE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":103,"06+":744,"07+":661,"08+":698,"09+":551,"12+":400,"13+":2902,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8030L
工作温度:-65℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@5V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y10-30PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y10-30PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":52515,"9999":497,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N03S4L03AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P03P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:137W
阈值电压:2V@253µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: