采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5890pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APL502J
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@26A，12V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8660pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5890pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8660pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：368，"22+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5890pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5890pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8660pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8660pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@26A，10V
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
连续漏极电流：52A
ECCN：EAR99
输入电容：8660pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
输入电容：2130pF@800V
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：57nC@15V
类型：N沟道
工作温度：-40℃~175℃
漏源电压：1200V
包装方式：管件
导通电阻：59mΩ@20A，15V
连续漏极电流：52A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXTP52P10P
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：50mΩ@52A，10V
类型：P沟道
包装方式：管件
功率：300W
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60M2-4
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
