采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2207
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@14A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3372，"21+"：9230，"22+"：6044}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：77W
阈值电压：4.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1186，"15+"：3361，"16+"：186672，"21+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R450P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1053pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.2A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
