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    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

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    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

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    功率:2W

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    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    栅极电荷:10nC@10V

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":237925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:627
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":303000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1817
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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