采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1600，"23+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9615-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6813pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120D
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R1-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1600，"23+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9615-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6813pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1600，"23+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9615-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6813pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120D
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1100，"18+"：7443}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB66NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120D
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9516-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：3085pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
